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电子元器件基础知识

杭州东沃电子为您讲述有关于二极管,放电管,自恢复保险丝,压敏电阻,ESD等知识。

 
 
 

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ESD静电放电的产生及危害  

2016-04-13 09:02:43|  分类: ESD静电保护器 |  标签: |举报 |字号 订阅

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      当两个物体碰撞或分离就会产生esd静电放电。就是静电荷从一个对象移动到另一个对象的两个物体之间具有不同的电势产生的静电荷的移动,类似于一次很小的 闪电过程。许多因素如物体的类型和周围的环境造成了放电量的大小和持续时间。当有足够的ESD高能量时,ESD静电放电会损伤半导体器件,随时发生例如电 缆或接触装置与人体接触的I / O端口对象或半导体器件,半导体器件触地以及静电场和电磁干扰,产生足够高的电压引起静电放电ESD。

  ESD可以分为三种类型, 一种是各种机械的静电放电ESD,二是家具移动或设备移动引起的,三是静电放电与人体接触或移动设备,这三种ESD对生产半导体器件和生产电子元件是非常 重要的。第三种ESD是在使用过程最容易受到损坏的,便携式电子产品尤其容易受到人体接触而损坏。ESD一般情况下会损坏与之相连的接口器件。另一种情况 是遭受ESD冲击后的器件可能不会立即损坏,而是产品性能下降。当集成电路IC经受静电放电(ESD)时,放电回路都很小,无法限制电流。例如将静电电缆 插到电路接口上时,放电电路电阻几乎为零,导致电流尖峰瞬时排放到几十安培,流入相应的IC管脚,强大电流可瞬时损害IC。甚至硅片管芯ESD会被局部发 热的热量融化。对于IC的损伤还包括内部燃烧的金属连接被烧坏,钝化层被破坏,晶体管单元被烧毁。

   ESD可能导致IC死锁LATCHUP。这种效应类似CMOS器件内部,可控硅的结构单元被激活,这些结构可以被有关高电压激活,形成一个大的通道电 流,一般是从VCC到地串行接口器件的锁死电流,高达1安培的电流可以保持到器件断电,但是到那时IC 通常早已因过热而烧毁了。ESD冲击后可能存在的两个问题是不容易被找到的,一般用户和IEC测试机构使用传统的环路反馈的方法和插入方法进行测试,通常 在这两个受体检测的问题检测不出来的。1RS-232接口电路的接收器接收器对发送器产生串扰,RS - 232类似产品接口电路中的ESD保护结构可能可能对某种波形的ESD或某个ESD冲击电压失效,脉冲电压的ESD冲击后输出端和输入端形成收发通,从而 导致接收器对发送器产生交调。如果RS-232 接口电路中有关断电路,而停断期间ESD冲击后容易产生互调,之后就会导致通信失败。即使停止工作条件下,发射机仍然有输出,导致关断失效使对方RS- 232处在接收状态。

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